Transistors. Page 86 sur 114. Avtronic

Transistor IRL3803

7.00€ TTC

86 En stock

Transistor IRL3803 N-MOS 30V 140A 200W 0.006R(71A). V-MOS TO220A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL3803PBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.006.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRL3803S

8.34€ TTC

33 En stock

Transistor IRL3803S N-MOS 30V 140A 200W 0.006R(71A). V-MOS D2pak. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL3803SPBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.006.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL520N

6.55€ TTC

69 En stock

Transistor IRL520N N-MOS 100V 10A/35Ap.48W 0.18R(7.1A). V-MOS TO220A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL520NPBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.1 A. Rds (Ohms): 0.18

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRL530N

3.25€ TTC

45 En stock

Transistor IRL530N N-MOS 100V 17A/60Ap.79W 0.12R(12A). HEXFET Power MOSFET. Log.Level. Logic Level. Constructeur: IR. (IRL530NPBF). Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL540N

3.58€ TTC

218 En stock

Transistor IRL540N N-MOS 100V 36A 140W 0.044R(26A). HEXFET Power MOSFET. Log.Level. Logic Level. Constructeur: IR. (IRL540NPBF). Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 26 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRL540NS

5.26€ TTC

781 En stock

Transistor IRL540NS N-MOS 100V 36A 140W 0.044R(26A). V-MOS D2pak. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL540NSPBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 26 A. Rds (Ohms): 0.044.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRL630

5.15€ TTC

34 En stock

Transistor IRL630 N-MOS 200V 9A 74W 0.40R(5.7A). V-MOS. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 74 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL630A

4.03€ TTC

116 En stock

Transistor IRL630A N-MOS 200V 9A 69W 0.40R(5.7A). V-MOS. Logic Level. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 69 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL640

5.15€ TTC

26 En stock

Transistor IRL640 N-MOS 200V 17A 125W 0.18R(11A). V-MOS TO220A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Logic Level. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A. Rds (Ohms): 0.18. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL640A

5.15€ TTC

5 En stock

Transistor IRL640A N-MOS 200V 18A 110W 0.18R(11.4). V-MOS TO220. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Logic Level. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Rds (Ohms): 0.18. Puissance: 110 W

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLB1304PTPBF

14.45€ TTC

81 En stock

Transistor MOSFET canal-N 40V 185A/740Ap. 300W. Résistance passante RDSon : 0.004 Ohms (130A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLB3034PBF

11.26€ TTC

69 En stock

Transistor MOSFET canal-N 40V 343A/1372Ap. 375W. Résistance passante RDSon : 1.4 mOhms (243A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLB8743PBF

3.98€ TTC

85 En stock

Transistor MOSFET canal-N 30V 150A/620Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 2.5 mOhms (110A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLB8748PBF

3.25€ TTC

57 En stock

Transistor MOSFET canal-N 30V 92A/370Ap. 75W. Résistance passante RDSon : 2 mOhms (65A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLB8748PBF

5.26€ TTC

1240 En stock

Transistor MOSFET canal-N 30V 150A/620Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 2.5 mOhms (100A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLBA1304P

19.54€ TTC

68 En stock

Transistor MOSFET canal N 40V 185A/740Ap. 300W 0.004R (130A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLBA1304PPBF. Type de boîtier: SUPER-220. Boîtier: SUPER220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 185A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 130A. Id(imp): 740 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max):

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLBA3803P

13.50€ TTC

95 En stock

Transistor MOSFET canal N 30V 179A/720Ap. 270W 0.005R (126A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLBA3803PPBF. Type de boîtier: SUPER-220. Boîtier: SUPER220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 179A. Puissance: 270 W. Id(T:100): 126A. Id(imp): 720 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max):

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLD014

3.42€ TTC

94 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 1.7A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD014PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 1.7A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.2 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLD024

3.53€ TTC

14 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 2.5A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD024PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.1 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLIB4343

5.71€ TTC

2 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 19A. Référence d'origine constructeur: IRLIB4343PbF. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 39W. Résistance Rds: 42 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRLIB9343

4.70€ TTC

86 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 55V 14A. Référence d'origine constructeur: IRLIB9343PbF. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 14A. Puissance: 33W. Résistance Rds: 93 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRL3803

Transistor IRL3803 N-MOS 30V 140A 200W 0.006R(71A). V-MOS TO220A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL3803PBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.006.

Transistor IRL3803S

Transistor IRL3803S N-MOS 30V 140A 200W 0.006R(71A). V-MOS D2pak. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL3803SPBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.006.

Transistor IRL520N

Transistor IRL520N N-MOS 100V 10A/35Ap.48W 0.18R(7.1A). V-MOS TO220A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL520NPBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.1 A. Rds (Ohms): 0.18

Transistor IRL530N

Transistor IRL530N N-MOS 100V 17A/60Ap.79W 0.12R(12A). HEXFET Power MOSFET. Log.Level. Logic Level. Constructeur: IR. (IRL530NPBF). Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A.

Transistor IRL540N

Transistor IRL540N N-MOS 100V 36A 140W 0.044R(26A). HEXFET Power MOSFET. Log.Level. Logic Level. Constructeur: IR. (IRL540NPBF). Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 26 A.

Transistor IRL540NS

Transistor IRL540NS N-MOS 100V 36A 140W 0.044R(26A). V-MOS D2pak. MOS-N-FET. Constructeur: IR. (IRL540NSPBF). Logic Level. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 26 A. Rds (Ohms): 0.044.

Transistor IRL630

Transistor IRL630 N-MOS 200V 9A 74W 0.40R(5.7A). V-MOS. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 74 W

Transistor IRL630A

Transistor IRL630A N-MOS 200V 9A 69W 0.40R(5.7A). V-MOS. Logic Level. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 69 W

Transistor IRL640

Transistor IRL640 N-MOS 200V 17A 125W 0.18R(11A). V-MOS TO220A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Logic Level. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A. Rds (Ohms): 0.18. Puissance: 125 W

Transistor IRL640A

Transistor IRL640A N-MOS 200V 18A 110W 0.18R(11.4). V-MOS TO220. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Logic Level. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Rds (Ohms): 0.18. Puissance: 110 W

Transistor MOSFET canal-N IRLB1304PTPBF

Transistor MOSFET canal-N 40V 185A/740Ap. 300W. Résistance passante RDSon : 0.004 Ohms (130A)

Transistor MOSFET canal-N IRLB3034PBF

Transistor MOSFET canal-N 40V 343A/1372Ap. 375W. Résistance passante RDSon : 1.4 mOhms (243A)

Transistor MOSFET canal-N IRLB8743PBF

Transistor MOSFET canal-N 30V 150A/620Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 2.5 mOhms (110A)

Transistor MOSFET canal-N IRLB8748PBF

Transistor MOSFET canal-N 30V 92A/370Ap. 75W. Résistance passante RDSon : 2 mOhms (65A)

Transistor MOSFET canal-N IRLB8748PBF

Transistor MOSFET canal-N 30V 150A/620Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 2.5 mOhms (100A)

Transistor IRLBA1304P

Transistor IRLBA3803P

Transistor IRLD014

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 1.7A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD014PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 1.7A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.2 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Transistor IRLD024

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 2.5A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD024PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.1 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Transistor IRLIB4343

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 19A. Référence d'origine constructeur: IRLIB4343PbF. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 39W. Résistance Rds: 42 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

Transistor IRLIB9343

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 55V 14A. Référence d'origine constructeur: IRLIB9343PbF. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 14A. Puissance: 33W. Résistance Rds: 93 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

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